保护元件

摘要

本发明提供一种保护元件。微波FET所具有的内在肖特基结(接合)电容或PN结电容小，这些结的抗静电能力弱。但是，在微波器件中通过连接保护二极管增加了寄生电容，但导致高频特性的恶化，存在不能采取该方法的问题。本发明在PN结、肖特基结或具有电容的被保护元件的2端子间并联连接由第1N⁺型区域－绝缘区域－第2N⁺型区域构成的保护元件。由于可在邻近的第1、第2N⁺区域间放电，所以可不增加寄生电容而衰减整个FET工作区域中的静电能量。

主权项

1.一种保护元件，其特征在于保护元件包括：具有2个侧面的第1高浓度杂质区域；与所述第1高浓度杂质区域的1个侧面相对配置，与该第1高浓度杂质区域相比其宽度更宽的第2高浓度杂质区域；配置在所述第1及第2高浓度杂质区域周围的绝缘区域；在所述第1及第2高浓度杂质区域的相对面之间以及该两区域的底面附近间的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第1电流路径；从所述第2高浓度杂质区域迂回到比所述第1及第2高浓度杂质区域更深的区域，在所述第1高浓度杂质区域的另一侧面的所述绝缘区域形成的作为电子电流和空穴电流的路径的第2电流路径，所述第1及第2高浓度杂质区域作为2个端子并联连接在被保护元件的2个端子间，所述被保护元件的2个端子间施加的静电能量在所述第1及第2高浓度杂质区域间放电，衰减所述静电能量。