发明名称 MgB<SUB>2</SUB>超导体材料的制备方法
摘要 本发明涉及MgB<SUB>2</SUB>超导体材料的制备方法。该方法的步骤为:首先将B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和Mg粉末在惰性气体的保护下进行研磨,然后将上述研磨好的原料放入陶瓷坩埚中,使用陶瓷内盖盖好,并沿内盖边缘撒入适量的Mg和B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>混合粉末,使原料和外界空气形成屏障;再将上述坩埚放入真空烧结炉里进行烧结;最后在真空、或在惰性气体保护状态下自然冷却到室温,即可得到MgB<SUB>2</SUB>超导体材料。本发明方法制备工艺简单、对反应装置的要求较低,并能极大地节约了MgB<SUB>2</SUB>超导体的生产成本。经零电阻、磁化率和X-Ray测量,证明本发明方法制备的MgB<SUB>2</SUB>超导体具备良好的超导特性,其超导转变温度高于37K。
申请公布号 CN1569633A 申请公布日期 2005.01.26
申请号 CN200410017952.0 申请日期 2004.04.27
申请人 上海大学 发明人 高召顺;张义邴
分类号 C01B35/04;C04B35/58;C04B35/622;H01B12/00;//101∶00 主分类号 C01B35/04
代理机构 上海上大专利事务所 代理人 何文欣
主权项 1.一种MgB2超导体材料的制备方法,其特征在于,该方法以B2O3和Mg粉为原料,其具体的步骤如下:a.将B2O3和Mg粉末按1∶4的摩尔比,在惰性气体的保护下进行研磨,使其混合均匀;b.将上述研磨好的原料放入陶瓷坩锅中,使用陶瓷内盖盖好,并沿内盖边缘撒入适量的Mg和B2O3混合粉末,使原料和外界空气形成屏障;c.将上述坩锅放入真空烧结炉或通有惰性保护气体(氮气、氩气等)的加热炉里进行烧结;d.烧结时依次按照:首先升温至400℃保温0.5-2小时、接着升到600~650℃温区保温0.5-2小时、然后升到800~900℃保温1~2小时,最后在真空、或在惰性气体保护状态下自然冷却到室温,即可得到MgB2超导体材料。
地址 200072上海市闸北区延长路149号