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发明名称 METHOD FOR FABRICATING SRAM CELL TO IMPROVE QUALITY OF GATE OXIDE LAYER OF TFT
摘要
申请公布号 KR100470186(B1) 申请公布日期 2005.01.26
申请号 KR19970081080 申请日期 1997.12.31
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 NAM, SANG GYUN;CHOI, SUN JU;KIM, JEONG JIP
分类号 H01L27/11;(IPC1-7):H01L27/11 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人
主权项
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