| 发明名称 | 存储装置 | ||
| 摘要 | 提供一种存储装置，是由使用了存储元件和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置，具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构，在记录层上使用Zn－Ge－Te的Zn或Cd等的含量≥25原子％、Ge的含量≥5原子％且≤25原子％、Te的含量≥40原子％的材料。这样，能够实现用于车载用途等有可能变为高温的用途中的存储装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1571160A | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
| 申请号 | CN200410071440.2 | 申请日期 | 2004.03.03 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 寺尾元康;高浦则克;黑土健三;松岡秀行;山内豪 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L45/00;G11C11/56 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种存储装置，具有存储元件，该存储元件包含：记录膜，该记录膜包含：Ge或Sb；≥40原子％的Te；≥20原子％且≤50原子％的从IIB族、IB族、IIIA至VIIA族、以及VIII族元素中选择的至少一种元素，且通过在结晶相与非晶质相之间引起可逆的相变化来记录信息；以及用于对上述记录膜施加电压的电极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||