| 发明名称 | 电解式掩膜铬膜的蚀刻制程方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电解式掩膜铬膜的蚀刻制程方法，包含以下步骤：在基底上形成一铬膜材质的薄膜；在薄膜上形成图样光阻掩膜而构成一待蚀刻装置；将该待蚀刻装置沉置于一电解溶液；将该薄膜与一电源的正极电接触；将该电解溶液与该电源的负极电接触；实施电解反应；以及将该待蚀刻装置自该电解溶液中取出。 | ||
| 申请公布号 | CN1570221A | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
| 申请号 | CN03141695.0 | 申请日期 | 2003.07.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 唐光亚 |
| 分类号 | C25F3/14;H01L21/3063;H01L21/467 | 主分类号 | C25F3/14 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1、一种电解式掩膜铬膜的蚀刻制程方法，包含以下步骤：在基底上形成一铬膜材质的薄膜；在薄膜上形成图样光阻掩膜而构成一待蚀刻装置；将该待蚀刻装置沉置于一电解溶液；将该薄膜与一电源的正极电接触；将该电解溶液与该电源的负极电接触；实施电解反应；以及将该待蚀刻装置自该电解溶液中取出。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||