| 发明名称 | 在基板表面上形成金属氧化物的薄膜形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜形成方法，所述方法将含有金属元素的有机原料气体和氧自由基导入真空容器内，使其反应，在设置于上述真空容器中的基板的表面上形成金属氧化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1571124A | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
| 申请号 | CN200410055266.2 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | 安内华股份有限公司 | 发明人 | 熊谷晃;张宏 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/82;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 1.一种薄膜形成方法，其特征在于：将含有金属元素的有机原料气体和氧自由基导入真空容器中，使其反应，在设置于上述真空容器中的基板的表面上形成金属氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||