| 发明名称 | 含铟晶片及其生产方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种可以可靠地进行汞去除的含铟晶片和制造这种晶片的方法，以便使汞C－V方法可行，汞C－V方法允许高精度地测量含铟晶片的特性，且它是一种非破坏性的测试。本发明的含铟晶片特征在于具有形成在其外表层上的附加除汞层，其目的在于去除晶片表面粘附的汞和由化合物半导体组成。此外，本发明制造含铟晶片的方法特征在于用粘附到除汞层表面上作为电极的汞评价晶片的电性能后，通过清除除汞层来去除表面粘附的汞。 | ||
| 申请公布号 | CN1572019A | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
| 申请号 | CN03801351.7 | 申请日期 | 2003.07.17 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 田中聪;岩崎孝 |
| 分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种含铟晶片，其特征在于具有形成在其外表层上的附加除汞层，所述附加除汞层目的在于去除晶片表面粘附的汞和由化合物半导体组成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||