| 发明名称 | 铁电体存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通过提高读出容限而能够抑制数据的误读出等发生的铁电体存储器，该铁电体存储器设置有：向所述第一电极施加读出电压V<SUB>R</SUB>的电路，和在与所述铁电体膜的电容量值C<SUB>f0</SUB>及C<SUB>f1</SUB>的差异相对应的第二电极的电位差为V<SUB>S</SUB>以上的情况下，能够检测出所述铁电体膜的电容量值C<SUB>f0</SUB>及C<SUB>f1</SUB>的差异的检测电路。而且，所述第二电极的电容量值C<SUB>2</SUB>，按满足下式而设定：C<SUB>f0</SUB>＜C<SUB>2</SUB>≤1/2×{(C<SUB>f1</SUB>－C<SUB>f0</SUB>)V<SUB>R</SUB>/V<SUB>S</SUB>－(C<SUB>f1</SUB>+C<SUB>f0</SUB>)}。 | ||
| 申请公布号 | CN1571067A | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
| 申请号 | CN200410003104.4 | 申请日期 | 2004.02.04 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 松下重治 |
| 分类号 | G11C11/22 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种铁电体存储器，其特征在于，具有：包含具有在初期状态能够取得不同的电容量值Cf0及Cf1的铁电体膜、和夹持所述铁电体膜而形成的第一电极与第二电极的铁电体电容器的存储器单元；向所述第一电极施加读出电压VR的电路；和在与所述铁电体膜的电容量值Cf0及Cf1的差异相对应的所述第二电极的电位差为Vs以上的情况下，能够检测出所述铁电体膜的电容量值Cf0及Cf1的差异的检测电路，所述第二电极的电容量值C2，按满足下式而设定：Cf0＜C2≤1/2×{(Cf1-Cf0)VR/Vs-(Cf1+Cf0)}。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||