发明名称 |
半导体激光器宽范围外腔可调谐方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体激光器宽范围外腔可调谐方法,在半导体激光器或放大器芯片两端通过耦合装置与两个可调谐滤波器高效耦合,构成一个具有选频功能的外谐振腔,通过对两个滤波器进行调谐可以选择其谐振波长,得到所需要波长的激光输出,而其它波长不会激射,使激光器有较宽的调谐范围,调谐范围主要由滤波器具体结构及芯片的增益谱宽决定。半导体激光器或放大器芯片两端面镀增透膜以便抑制腔内反馈。两个可调谐滤波器的峰值间距不同。可调谐滤波器反射谱与半导体激光器或放大器芯片增益谱范围相近。可以通过调整半导体致冷器的温度对激光器进行相位调节。 |
申请公布号 |
CN1186898C |
申请公布日期 |
2005.01.26 |
申请号 |
CN02115991.2 |
申请日期 |
2002.06.18 |
申请人 |
武汉光迅科技有限责任公司 |
发明人 |
王正选;李传文 |
分类号 |
H04J14/02;H01S5/14 |
主分类号 |
H04J14/02 |
代理机构 |
武汉开元专利代理有限责任公司 |
代理人 |
刘志菊 |
主权项 |
1.一种半导体激光器宽范围外腔可调谐方法,由激光器和可调谐滤波器实现,其特征是放置在半导体致冷器上的半导体激光器或放大器芯片两端通过耦合装置与两个可调谐滤波器高效耦合,构成一个具有选频功能的外谐振腔,通过对两个滤波器进行调谐可以选择其谐振波长,得到所需要波长的激光输出,而其它波长不会激射,使激光器有较宽的调谐范围,调谐范围主要由滤波器具体结构及芯片的增益谱宽决定。 |
地址 |
430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号光迅公司开发管理部 |