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发明名称 Method of performing a burn-in process to electrically stress a semiconductor memory
摘要
申请公布号 EP1136833(B1) 申请公布日期 2005.01.26
申请号 EP20010104285 申请日期 2001.02.22
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 AYADI, KAMEL, DR.;LINDOLF, JUERGEN, DR.;OEZOGUZ-GEISSLER, NEDIM
分类号 G01R31/28;G11C29/50;(IPC1-7):G01R31/316 主分类号 G01R31/28
代理机构 代理人
主权项
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