发明名称 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置
摘要 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置,将模板固定于架上,浸入电化学刻蚀溶液,以模板作为工作电极,另在容器中设辅助电极和参比电极,启动电化学系统,将模板逐步移向硅片,进行刻蚀,刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离,所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄,以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下,以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度,分辨率达0.1微米以上。
申请公布号 CN1569610A 申请公布日期 2005.01.26
申请号 CN200410037771.4 申请日期 2004.05.12
申请人 厦门大学 发明人 时康;张力;祖延兵;蒋利民;周勇亮;田中群
分类号 B81C5/00;C01B33/021 主分类号 B81C5/00
代理机构 厦门南强之路专利事务所 代理人 马应森
主权项 1、硅表面复杂三维微结构加工方法,其特征在于其步骤为:1).将带有待加工结构互补结构的模板固定于固定架上;2).将电化学刻蚀溶液注入放置有待加工的硅片的容器;3).移动固定架,使模板浸入电化学刻蚀溶液;4).以模板作为工作电极,另在容器中设辅助电极和参比电极,启动电化学系统;5).将模板逐步移向硅片,开始对被加工工件进行刻蚀;6).驱动装置不断地将模板向被硅片移动以保持刻蚀不断地进行,至刻蚀完毕,模板离开硅片表面。
地址 361005福建省厦门市思明南路422号