| 发明名称 | 一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化接触层与硅的粘附性好，机械强度高，耐腐蚀性也好，制备方法工艺简单，成本较低，可广泛用于集成电路制造工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN1571126A | 申请公布日期 | 2005.01.26 |
| 申请号 | CN200410017840.5 | 申请日期 | 2004.04.22 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 屈新萍;茹国平;李炳宗 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;沈云 |
| 主权项 | 1、一种硅基器件的金属化接触层结构，其特征在于在器件的Si基底上形成有金属硅化物层，厚度为10-100nm；其上还镀有金属层，厚度为100-500nm。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||