具有浮岛电压维持层的功率半导体器件的制造方法

摘要

一种功率半导体器件及其制造方法，提供衬底(402)，并接着通过在衬底(402)上淀积外延层(401)和在外延层(401)中形成至少一个沟槽而在衬底(402)上形成电压维持区。沿着沟槽壁淀积阻挡材料并穿过阻挡材料把掺杂剂注入到邻近沟槽底部并在沟槽底部之下的部分外延层(401)中。掺杂剂扩散形成第一掺杂层，并至少从沟槽的底部去除阻挡材料。穿过第一掺杂层蚀刻沟槽，并基本上填充沟槽，从而完成电压维持区。在电压维持区上形成至少一个区以在它们之间限定结面。

主权项

1.一种功率半导体器件的制造方法，包括步骤：A.提供第一导电类型的衬底；B.通过以下步骤在所述衬底上形成电压维持区：1.在衬底上淀积外延层，所述外延层具有第一导电类型；2.在所述外延层中形成至少一个沟槽；3.沿着所述沟槽的壁淀积阻挡材料；4.穿过阻挡材料把第二导电类型的掺杂剂注入到邻近所述沟槽底部并在所述沟槽底部之下的部分外延层中；5.扩散所述掺杂剂以在所述外延层中形成第一掺杂层；6.至少从沟槽的底部去除阻挡材料；7.穿过所述第一掺杂层蚀刻沟槽；和8.在所述沟槽中淀积填充材料以基本上填充所述沟槽；和C.在所述电压维持区上形成至少一个所述第二导电类型区以在它们之间限定结面。