| 主权项 |
1.一种减少基质作用室中偏离光的装置,其包含:一热作用室,以容纳基质;一辐射能源,此与该热作用室联系,该辐射能源放射辐射能至该室;至少一辐射感应设备,此与热作用室联系,辐射感应设备构成感应预选波长中的辐射;以及一光谱过滤器,此与辐射能源联系配置,光谱过滤器构成吸收由辐射能源于预选波长中所放射的辐射,光谱过滤器包含有稀土族元素的材料。2.如申请专利范围第1项的装置,其中稀土族元素为选自镱、钕、铥、饵、钬、镝、铽、钆、铕、钐、镨及其混合物组成的材料。3.如申请专利范围第2项的装置,其中稀土族元素含于基底材料内,基底材料包含玻璃、液体、晶体、塑胶或陶瓷。4.如申请专利范围第1项的装置,其中稀土族元素为镱。5.如申请专利范围第4项的装置,其中镱含于玻璃材料的数量至少为0.5 wt%。6.如申请专利范围第5项的装置,其中镱含于玻璃材料的数量至少为20wt%。7.如申请专利范围第4项的装置,其中预选波长介于900nm与1010nm之间。8.如申请专利范围第1项的装置,其中光谱过滤器包含稀土族元素的氧化物。9.如申请专利范围第8项的装置,其中稀土族元素为镱。10.如申请专利范围第1项的装置,其中光谱过滤器的厚度小于100毫米。11.如申请专利范围第1项的装置,其中光谱过滤器在辐射能源与热作用室中的基质支撑物之间。12.如申请专利范围第1项的装置,其中光谱过滤器的衰减系数至少为5。13.如申请专利范围第1项的装置,其中光谱过滤器的衰减系数至少为103。14.如申请专利范围第1项的装置,其中稀土族元素为钬、铕、或铽,且预选波长为1.7微米至2.4微米。15.如申请专利范围第1项的装置,其中辐射能源包含至少一电灯。16.一种加热处理基质的装置,其包含:一热作用室,以容纳基质;一辐射能源,此与热作用室联系,以将辐射能源放射放射至室;至少一辐射感应设备,此与热作用室联系,辐射感应设备构成感应预选波长中的辐射;以及一光谱过滤器,此与辐射能源联系配置,光谱过滤器构成吸收由辐射能源于预选波长中所放射的辐射,光谱过滤器包含光吸收剂,光吸收剂包含选自稀土族元素的材料、染料及半导体材料。17.如申请专利范围第16项的装置,其中光吸收剂包含半导体材料,半导体材料包含砷化镓、砷化铝、矽、锗、磷化铟或其合金。18.如申请专利范围第16项的装置,其中光吸收剂包含一染料,染料包含有机盐染料、镍复合染料、贵重金属染料、phalocyanine染料或染料或其混合物。19.如申请专利范围第16项的装置,其中光谱过滤器包含掺入光吸收剂的基底材料,光吸收剂包含稀土族元素,稀土族元素为选自由镱、钕、铥、饵、钬、镝、铽、钆、铕、钐、镨及其混合物组成的材料。20.如申请专利范围第16项的装置,其中预定波长小于1.5微米。21.如申请专利范围第19项的装置,其中稀土族元素包含镱。22.如申请专利范围第21项的装置,其中预选波长为900nm至1010nm。23.如申请专利范围第16项的装置,其中光谱过滤器在辐射能源及基质之间。24.如申请专利范围第16项的装置,其中光谱过滤器的衰减系数至少为5。25.如申请专利范围第16项的装置,其中光谱过滤器的衰减系数至少为103。26.如申请专利范围第16项的装置,其中辐射能源包含一或更多电灯。27.如申请专利范围第16项的装置,其中辐射感应设备包含一高温计。28.一种使用辐射能量加热作用室中基质的方法,其包含的步骤有:将基质置放于热作用室中;以与热作用室联系的辐射能源加热基质;当加热基质时,在预选波长中以基质放射来感应辐射,辐射由至少一辐射感应设备感应;以及在预选波长中以辐射能源放射来吸收偏离光,偏离光以光谱过滤器吸收,光谱过滤器包含一稀土族元素及一染料。29.如申请专利范围第28项的方法,其中光谱过滤器包含有染料的基底材料,染料包含选自由有机盐染料、镍复合染料、贵重金属染料、phalocyanine染料或染料或其混合物组成的材料。30.如申请专利范围第28项的方法,其中光谱过滤器包含有稀土族元素的基底材料,稀土族元素包含选自由镱、钕、铥、饵、钬、镝、铽、钆、铕、钐、镨及其混合物组成的材料。31.如申请专利范围第30项的方法,其中稀土族元素包含镱。32.如申请专利范围第31项的方法,其中预选波长为900nm至1010nm。33.如申请专利范围第28项的方法,其中预选波长小于1.5微米。34.如申请专利范围第28项的方法,其中光谱过滤器的衰减系数至少为5。35.如申请专利范围第28项的方法,其中光谱过滤器的衰减系数至少为103。36.如申请专利范围第28项的方法,其中光谱过滤器的衰减系数至少为105。37.如申请专利范围第30项的方法,其中稀土族元素包含钕。38.如申请专利范围第30项的方法,其中稀土族元素包含铒。39.如申请专利范围第30项的方法,其中基底材料包含玻璃、晶体或陶瓷。40.如申请专利范围第29项的方法,其中基底材料包含塑胶或液体。41.一种加热处理基质的装置,其包含:一热作用室,以容纳基质;一辐射能源,此与热作用室联系,该辐射能源将辐射能放射至该室;至少一辐射感应设备,此与热作用室联系,辐射感应设备构成感应预选波长中的辐射;以及一光谱过滤器,此与辐射能源联系配置,光谱过滤器构成吸收由辐射能源于预选波长中所放射的辐射,光谱过滤器包含含有金属的材料。42.如申请专利范围第41项的装置,其中金属包含过渡金属。43.如申请专利范围第41项的装置,其中金属包含铁。44.如申请专利范围第41项的装置,其中金属包含铜。45.如申请专利范围第41项的装置,其中金属合于基底材料内,基底材料包含玻璃、液体、晶体、塑胶或陶瓷。46.如申请专利范围第45项的装置,其中金属含于基底材料中的数量为0.5 wt%至50wt%。47.如申请专利范围第41项的装置,其中光谱过滤器在辐射能源与热作用室中的基质支撑物之间。图式简单说明:第一图为依照本发明之加热处理半导体设备的一实施例之横面图;第二图为依照本发明之加热处理半导体设备的另一实施例之横面图;第三A图为依照本发明由光谱过滤器环绕电灯的一实施例之横面图;第三B图为依照本发明由光谱过滤器环绕电灯的另一实施例之横面图;第四图为依照本发明制造之一光谱过滤器实施例与多数配置电灯连结的正视图;以及第五图为依照本发明将光传达与含镱之光谱过滤器的波长之比较曲线图。 |
