| 主权项 |
1.一种积体记忆体之操作方法,-此种积体记忆体具有记忆胞阵列,其包含行线(BLt,BLc)及列线(WL),-此种积体记忆体具有各记忆胞(MCO;MC255),其分别具有一种选择电晶体(TO,T255)及一种记忆电容器(CO,C255)(其具有铁电记忆效应),-此种积体记忆体具有板线(PL),其经由各别记忆胞(MCO)之选择电晶体(TO)及记忆电容器(CO)所形成之列电路而与行线(BLt)之一相连。-各记忆胞之选择电晶体(TO,T255)之控制端是分别与列线(WLO,WL255)之一相连,-在一个存取周期中对各记忆胞(MCO)中之一进行存取,其特征为:-在存取之前此行线(BLt)及板线(PL)(其连接至一种即将选取之记忆胞(MCO)具有一种输出电位,-在存取期间驱动此列线(WLO),其连接至该待选取之记忆胞(MCO),使其选择电晶体(TO)导通,且在板线(PL)上施加一种电位(VPL),其不同于行线(BLt)之电位(VBLt),-施加至行线(BLt)上之电位(VBLt)在时点(t1)被评估及放大,-此输出电位在第二时点(t2)施加至板线(PL),-此输出电位在第三时点(t3)施加至行线(BLt),-须选取第一时点(t1)、第二时点(t2)及第三时点(t3),使得在一种存取周期中此种待选取之记忆胞(MCO)之记忆电容器(CO)之充电量及放电量相同。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该输出电位是此积体记忆体之参考电位。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中各记忆胞(MCO)之一之存取是一种读出过程以读出此记忆胞(MCO)之资料信号。图式简单说明:第1图铁电积体记忆体之图解。第2图此积体记忆体之读出周期之时间流程。第3图本发明之方法之读出周期之时间流程。 |
