| 主权项 |
1.一种『记忆卡内之防误插装置』,为一种爪状结 构体,主要设一枢接的轴部,该轴部周侧分别至少 设有A爪、B爪及C爪;A爪系自轴部一侧凸出;而B爪系 自轴部周侧另处凸出,且与A爪间之角度在80至100度 之间;C爪为"ㄑ"型结构,包括前端之平直部系与A爪 呈一直线,而后端之弯折部则与A爪呈110至130度之 间夹角;本案枢接于卡座内一侧,A爪及C爪之平直部 系呈一直线靠近卡座内侧壁,当不同的记忆卡插置 于卡座时,得被推动而旋转以A爪或B爪或C爪翘起, 来阻挡其他记忆卡的再插入。 2.如申请专利范围第1项所述之『记忆卡内之防误 插装置』,其中,B爪与A爪间之角度以90度最佳。 3.如申请专利范围第1项所述之『记忆卡内之防误 插装置』,其中,B爪系位于轴部上,不同于A爪的位 置高度者。 4.如申请专利范围第3项所述之『记忆卡内之防误 插装置』,其中,A爪及B爪系分别位于轴部的上、下 端。 5.如申请专利范围第1项所述之『记忆卡内之防误 插装置』,其中,C爪之弯折部与A爪间之角度呈120度 最佳。 6.如申请专利范围第1项所述之『记忆卡内之防误 插装置』,其中,C爪于"ㄑ"型结构之弯折部末端向 下延伸有凸部。 7.如申请专利范围第1项所述之『记忆卡内之防误 插装置』,其中,A爪系为杆状体。 图式简单说明: 第一图 系本创作之立体结构图。 第二图 系本创作之平面结构图。 第三图 系本创作适用于MS记忆卡之实施例示意图 。 第四图 系本创作适用于XD记忆卡之实施例示意图 。 第五图 系本创作适用于SM记忆卡之实施例示意图 。 第六图 系本创作适用于SD记忆卡之实施例示意图 。 第七图 系本创作适用于MMC记忆卡之实施例示意图 。 第八图 系固有的MS,XD,SD,SM,MMC等记忆卡的结构平面 图。 |
