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发明名称 INDUCTIVE-TYPE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND AN AMORPHOUS SILICON LAYER TRANSISTOR FOR IMPROVING PHOTOSENSITIVITY AND ELECTRICITY CONDUCTIVITY OF A SILICON LAYER BY FORMING A SILICON LAYER AND A REACTION CHAMBER
摘要
申请公布号 KR100469134(B1) 申请公布日期 2005.01.21
申请号 KR19970009218 申请日期 1997.03.18
申请人 BOE HYDIS TECHNOLOGY CO., LTD.;JANG, JIN 发明人 JANG, JIN;KIM, JAE GAK;CHO, SE IL
分类号 C23C16/50;C23C16/24;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/507;H01J37/32;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):C23C16/44 主分类号 C23C16/50
代理机构 代理人
主权项
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