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Die vorliegende Erfindung dient dazu, ein Verfahren zum Bilden einer Bit-Leitung eines Flashbauelements zur Verfügung zu stellen, welches in der Lage ist, einen Verlust einer Zwischenschichtisolationsschicht zwischen den Bit-Leitungsmustern durch Bilden eines Bit-Leitungsmetallhartmaskenmusters vor dem Bilden eines Bit-Leitungsmaskenmusters zu reduzieren, ein Interval zwischen den Bit-Leitungen daran zu hindern abzunehmen, durch Kontrollieren von Bedinungen eines Reinigungsprozesses vor dem Bilden einer Metallschicht, und durch Nicht-Ausführen eines zusätzlichen Prozesses des Entfernens der metallischen Hartmaskenschicht, da die metallische Hartmaskenschicht zum gleichen Zeitpunkt des Ausführens eines Bit-Leitungsebnungsprozesses ebenfalls entfernt wird.
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