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Gegenstand der Erfindung ist ein Suszeptor zum Ablegen einer Halbleiterscheibe beim Abscheiden einer Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) mit einer gasdurchlässigen Struktur mit einer Porosität von mindestens 15% und einer Dichte von 0,5 bis 1,5 g/cm·3·. Gegenstand der Erfindung sind auch eine Halbleiterscheibe mit einer Rückseite und einer durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) beschichteten Vorderseite und einer polierten oder geätzten Rückseite, bei der die Nanotopographie der Rückseite, ausgedrückt als Höhenschwankung PV (= peak to valley), kleiner als 5 nm ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe.
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