| 发明名称 | 只读存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种只读存储器的制造方法，此方法于一基底上形成电子捕捉层结构，再图案化电子捕捉层结构以形成复数个开口。接着，进行第一离子植入制作工艺以于开口中的基底表面形成第一掺杂区，再进行第二离子植入制作工艺，以于开口中的基底中形成第二掺杂区，其中第一掺杂区的掺杂深度小于第二掺杂区的掺杂深度，然后，于开口中的基底表面形成一埋入式漏极绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN1567572A | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN03137093.4 | 申请日期 | 2003.06.18 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘振钦;庄焜吉 |
| 分类号 | H01L21/8246;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种只读存储器的制造方法，其特征在于，包括：于一基底上形成一电子捕捉层结构；图案化该电子捕捉层结构以形成复数个开口；进行一第一离子植入制作工艺，以于该些开口中的该基底中形成一第一掺杂区；进行一第二离子植入制作工艺，以于该些开口中的该基底中形成一第二掺杂区，其中该第一掺杂区的掺杂深度小于该第二掺杂区的掺杂深度；以及于该些开口中的该基底表面形成一埋入式漏极绝缘层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||