| 发明名称 | 多层式抗反射层以及采用该多层式抗反射层的半导体制程 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种多层式抗反射层以及采用该多层式抗反射层的半导体制程。上述多层式抗反射层适用于一基底，包括一介电质抗反射层形成于该基底上，以及一有机抗反射层形成于该介电质抗反射层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1567529A | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN03141061.8 | 申请日期 | 2003.06.13 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄则尧;陈逸男;吴文彬 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/31;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马娅佳 |
| 主权项 | 1.一种多层式抗反射层，适用于一基底，是包括：一介电质抗反射层形成于该基底上；以及一有机抗反射层形成于该介电质抗反射层上。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||