一种互补金属氧化物半导体集成电路及其制备方法

摘要

本发明公开了一种互补金属氧化物半导体集成电路，其目的是提供一种在相同器件尺寸条件下能增加集成电路密度和提高集成电路性能的互补金属氧化物半导体集成电路技术。本发明所提供的互补金属氧化物半导体电路，包括nMOS场效应晶体管和pMOS场效应晶体管在内的半导体器件本体，所述pMOS器件位于所述nMOS器件之上，双方共享同一栅电极；pMOS器件为自对准双栅或环栅结构；pMOS器件与nMOS器件的沟道区相互自对准。本发明还提供了该互补金属氧化物半导体集成电路的两种制备方法。本发明为增加集成电路密度和提高集成电路的性能提供一种新的技术途径。

主权项

1、一种互补金属氧化物半导体集成电路，包括nMOS场效应晶体管和pMOS场效应晶体管在内的半导体器件本体，其特征在于：所述pMOS器件位于所述nMOS器件之上，双方共享同一栅电极；所述pMOS器件为双栅或环栅结构；所述pMOS器件与所述nMOS器件的沟道区相互自对准；所述pMOS器件的源漏区厚而沟道区薄。