使半导体沉积层平整的方法

摘要

本发明涉及一种使半导体沉积层平整的方法，首先，提供一基材；接着，用高密度等离子化学气相沉积法在基材上形成一半导体沉积层；然后，用溅射蚀刻法处理上述半导体沉积层表面；接着，用化学机械研磨法使上述半导体沉积层表面平整。本方法用溅射蚀刻处理半导体沉积层表面，可以提高化学机械研磨机研磨上述半导体沉积层的研磨效率。

主权项

1.一种使半导体沉积层平整的方法，至少包括下述步骤：提供一基材；用高密度等离子化学气相沉积法(high density plasma chemical vapordeposition，HDP CVD)在上述基材上形成一半导体沉积层；用溅射蚀刻法(sputter etching)处理上述半导体沉积层表面；以及用化学机械研磨法(chemical mechanical polishing，CMP)使半导体沉积层的表面平整。