| 发明名称 | 在窄半导体结构中用于改善硅化物形成的帽盖层 | ||
| 摘要 | 提供一种为包括在硅(1)上的硅化物形成金属(2)的半导体结构形成帽盖层的方法。根据本发明，形成覆盖半导体结构并与硅化物形成金属(2)接触的氮化物层(51)。通过在特征为氮气流小于45sccm的环境中从靶上溅射形成该层。因此，该层缺乏氮，从而避免了在硅上的自然氧化层(11)上形成氧氮化物，并且没有抑制硅(1)和金属(2)之间的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1568538A | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN01822412.1 | 申请日期 | 2001.12.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 肯尼思·J.·吉沃特;斯蒂芬·B.·布洛德斯基;小西里尔·卡布拉尔;安瑟尼·G.·德莫尼库奇;克雷格·M.·兰塞姆;王允愈;霍雷肖·S.·维尔德曼;黄洸汉 |
| 分类号 | H01L21/44 | 主分类号 | H01L21/44 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种为半导体结构形成帽盖层的方法，该半导体结构包括覆盖硅(1)的硅化物成金属(2)，该方法包括以下步骤：形成覆盖半导体结构并与硅化物形成金属(2)接触的氮化物层(51)；其中所述形成步骤包括在特征为氮气流小于大约45sccm的环境中从靶上溅射。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||