高速非挥发性存储器装置

摘要

本发明提供一种高速非挥发性存储器装置，特别是一种非挥发性存储器的双参考晶胞感应架构。高电压参考晶胞与低电压参考晶胞分别耦接至两个感应放大器以提供两个不同的参考电压，以跟存储器晶胞的电压相比较。此两个感应放大器的输出是连接至第二阶感应放大器以决定该存储器的状态。双参考晶胞感应架构加大感应窗口，其可在低电压应用下增加性能。双参考晶胞感应架构可由电压式，电流式或接地式实施。

主权项

1.一种高速非挥发性存储器装置，其特征是，该装置包括：至少一个存储器晶胞；一第一参考晶胞；一第二参考晶胞；一第一感应放大器，其耦接至该第一参考晶胞与该存储器晶胞以决定该第一参考晶胞与该存储器晶胞间的一电压差；一第二感应放大器，其耦接至该第二参考晶胞与该存储器晶胞以决定该第二参考晶胞与该存储器晶胞间的一电压差；以及一第三感应放大器，其耦接至该第一感应放大器与该第二感应放大器，以根据该第一感应放大器与该第二感应放大器的电压差而决定该存储器晶胞的状态。