发明名称 | 半导体材料的激光切割 | ||
摘要 | 一种切割薄的硅体以最小化其边缘损伤的方法,包括在真空中或在合成气体或稀有气体的环境中用脉冲激光束穿过所述的硅体。 | ||
申请公布号 | CN1185076C | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
申请号 | CN01802185.9 | 申请日期 | 2001.05.14 |
申请人 | RWE肖特太阳公司 | 发明人 | B·P·皮茨克;J·P·卡莱斯 |
分类号 | B23K26/12;B23K26/38 | 主分类号 | B23K26/12 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏;黄力行 |
主权项 | 1.一种将中空的半导体硅体切割成用来制造固态电子器件的切片的方法,包括以下步骤:用短脉冲激光器在真空中或者在由一种或多种稀有气体、一种合成气体、或两者的混合气体组成的气体介质中切割所述半导体,所述合成气体由90%N2和10%H2组成。 | ||
地址 | 美国麻萨诸塞州 |