| 发明名称 | 侧向离子束诱导电荷显微分析技术 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种侧向离子束诱导电荷显微分析技术，用于测量半导体器件的微区电学特性，主要包括以下步骤：提供一微米MeV的离子束；将该离子束沿半导体器件侧面入射在该器件上；收集并分析由该离子束诱导产生的载流子脉冲信号。本发明微米离子束从半导体器件电极的侧面入射，所以避免了电荷漏斗效应，而且采用fA量级低离子束流，从而根本上克服了MeV离子束对分析器件带来的损伤问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1567555A | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN03129326.3 | 申请日期 | 2003.06.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海原子核研究所 | 发明人 | 陆荣荣;裘惠源;曹建清 |
| 分类号 | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 肖剑南 |
| 主权项 | 1、一种侧向离子束诱导电荷显微分析技术，用于测量半导体器件的微区电学特性，其特征在于，它包括以下步骤：提供一微米MeV的离子束；将该离子束沿半导体器件侧面入射在该器件上；收集并分析由该离子束诱导产生的载流子脉冲信号。 | ||
| 地址 | 201800上海市嘉定区嘉罗公路2019号 | ||