双沟道积累型变容管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种双沟道积累型变容管及其制造方法，所述的方法包括：按照制作单沟变容管的方法，制作下层沟道、栅氧一、栅极、侧墙、源极、漏极，源漏注入后，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二；接着在栅氧二之上再淀积一层原位掺杂的多晶硅，作为上层沟道；分别在两侧开设源极、漏极引出孔，引出孔贯通栅氧二和上层多晶硅，金属引出线从引出孔中穿出，通过它将上层沟道和下层沟道连通起来，从而形成双沟道结构的可变电容。本发明通过单栅同时控制两个沟道，在保持其品质因子与单沟变容管相当的前提下，使变容范围增大为传统单沟变容管的两倍，具有广阔的应用前景。

主权项

1、一种双沟道积累型变容管，包括由衬底、下层沟道、栅氧一、多晶硅栅极、侧墙、源极、漏极组成的单沟变容管，其特征在于，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二，在栅氧二的上部再淀积一层多晶硅，构成上层沟道；金属引出线分别从源极和漏极引出，并穿过栅氧二和上层的多晶硅，将源极、漏极和上下沟道连通起来，从而形成双沟道结构的可变电容。