发明名称 |
扁平型超电容的结构及封装方法 |
摘要 |
一种扁平型超电容的结构及封装方法,是采用串联式堆叠法(Bipolar Structure)将超电容以上、下错位的方式堆叠后,再予以封装,使其呈扁平化,可减少超电容成品的体积,其封装的过程是先将电极板裁切成适当尺寸、在电极板周围点注胶墙、采取串联式上下错位堆叠、灌注电解液、热封、加压、加热聚合胶墙、制成超电容,该制成品可应用于厚度较小的空间,如PDA、手机等。 |
申请公布号 |
CN1567491A |
申请公布日期 |
2005.01.19 |
申请号 |
CN03149327.0 |
申请日期 |
2003.06.26 |
申请人 |
国际超能源高科技股份有限公司 |
发明人 |
蔡克已;黄俊辉;成诗宋 |
分类号 |
H01G9/00;H01G9/155;H01G13/00;H01G2/10 |
主分类号 |
H01G9/00 |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
潘培坤;楼仙英 |
主权项 |
1.一种扁平型超电容的封装方法,其特征在于,所述封装方法至少包含下列的步骤:(1)裁切标准规格的电极板;(2)在电极板上周边点胶以形成胶墙;(3)上、下两列相对并以错位方式堆叠;(4)置入模具中真空处理后并灌注电解液;(5)加压;以及(6)软熔热封使上、下电极板间的胶墙密合后即可完成。 |
地址 |
台湾省台北县 |