| 发明名称 | 用增强掺杂制作光纤 | ||
| 摘要 | 将用MCVD制作的氧化硅碳黑层，在高压下曝露在含氟气体中来提高MCVD预制件中槽层的氟掺杂。此高压曝露工艺被合并入MCVD工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN1566006A | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
| 申请号 | CN200310120601.8 | 申请日期 | 2003.12.15 |
| 申请人 | 菲特尔美国公司 | 发明人 | 戴维·J·迪格奥万尼;罗伯特·S·温德勒 |
| 分类号 | C03B37/012;C03B37/018;C03B37/02;C03C13/04;C03C3/06;G02B6/16;G02B6/22 | 主分类号 | C03B37/012 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.制作光纤的方法，包括：(a)制备光纤预制件，(b)加热预制件，及(c)从预制件拉制光纤，其特征在于光纤预制件是通过以下步骤生产的：(i)用MCVD法在一个MCVD管内制作氧化硅颗粒的碳黑层，(ii)在掺杂剂气氛中在1.0-10个大气压下加热该碳黑层，使掺杂剂掺入氧化硅颗粒，(iii)加热多孔氧化硅体以使之固结成坚实的玻璃层，以及(iv)使所述MCVD管塌缩成为预制件。 | ||
| 地址 | 美国佐治亚州 | ||