发明名称 | 多芯片半导体器件和存储卡 | ||
摘要 | 对同样构成的多个半导体芯片进行叠层,构成一种多芯片半导体器件。在上述各半导体芯片内设置有自由可选电路。在该自由可选电路中设置了相当于各芯片叠层级数的熔丝,通过切断该熔丝,单独接收各芯片的芯片控制信号。 | ||
申请公布号 | CN1185708C | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
申请号 | CN01116669.X | 申请日期 | 2001.04.20 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 佐佐木圭一;作井康司 |
分类号 | H01L25/04;H01L25/065 | 主分类号 | H01L25/04 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1.一种多芯片半导体器件,具有凸块和通过所述凸块而叠层的多个半导体芯片,上述多个半导体芯片每个具有:集成了元件的半导体衬底,和形成在穿透上述半导体衬底的穿通孔内的连接插头,上述多个半导体芯片的连接插头通过上述凸块来连接,其特征在于:上述多个半导体芯片各自包括熔丝部分,设置在上述连接插头和凸块之间,通过有选择地将其切断,对上述连接插头和凸块进行电连接和分离。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |