位元线接触窗结构及其形成方法

摘要

本发明揭示一种位元线接触窗结构及其形成方法。本发明系使用至少下列步骤：提供一基底，具有一电晶体形成于上述基底上，上述电晶体包含一闸极、一汲极区、与一源极区；以旋转涂布法，毯覆性地形成一第一介电层于上述电晶体上；以及图形化上述第一介电层，形成一介层窗暴露上述汲极区。最后形成一位元线接触窗结构。