| 摘要 |
本发明提供即使使用各种不同之基板也可以得到不产生裂痕之优异之Ill–V族化合物结晶的简便上成本低廉之III–V族化合物结晶之制造方法。该III–V族化合物结晶之制造方法，其特征在于具有：在基板1上堆积金属膜2之步骤；以及在使前述金属膜2形成图案之化合物之气氛存在下，进行热处理之步骤；以及在前述热处理后之金属膜2上，使III–V族化合物结晶4成长之步骤。又，该III–V族化合物结晶之制造方法，其特征在于又具有：在上述热处理步骤后，在前述热处理后之金属膜上使III–V族化合物缓冲膜成长之步骤；以及在前述之III–V族化合物缓冲膜上使III–V族化合物结晶成长之步骤。 |
