| 摘要 |
本发明系提供一种可提高半导体装置之可靠性，尤其是提高资料保持特性之技术，该半导体装置包含使用氮化膜作为电荷蓄积层之非挥发性记忆体。本发明之解决方法为于基板1之第1区域上介以闸极绝缘膜3形成选择用nMISQnc之控制闸电极CG，于第2区域上介以绝缘膜6b以使其含氢浓度为10^20cm^–3以下之方式形成记忆体用nMISQnm之电荷蓄积层CSL，进而于形成绝缘膜6t之后，于第2区域上介以绝缘膜6b、6t以及电荷蓄积层CSL形成记忆体用nMISQnm之记忆体闸电极MG，将杂质注入至选择用nMISQnc及记忆体用nMISQnm之邻接区域，形成构成记忆体单元之汲极区域Drm及源极区域Srm的半导体区域2a。 |
