| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种具有螺旋电感器的半导体装置，其可更为有效地防止在螺旋电感器的下部产生碟形凹陷的构成。作为解决问题之手段，本发明之半导体装置中，其电晶体区域TR系配设有包含MOS电晶体Tl0的复数MOS电晶体的区域，虚设区域DR系相当于螺旋电感器SI下部的区城，在虚设区域DR的SOI基板SB的主表面内配设有复数个虚设活性层D1，又，以覆盖各个虚设活性层Dl的方式配设复数个虚设闸极D2。在此，虚设活性层Dl的配设图案及虚设闸极D2的配设图案形成为大致一致，且将虚设闸极D2正确重叠配设于虚设活性层D1的上部。 |
