形成于通孔中之聚合物记忆体装置

摘要

本发明的一个局面系有关一种在通孔中制造聚合物记忆体装置之方法。该方法包含下列步骤：提供半导体基材，该半导体基材上具有至少一个含金属的层；在该含金属的层中形成至少一个铜接点；在该铜接点之上形成至少一个电介质层；在该电介质层中形成至少一个通孔，以便露出该铜接点的至少一部分；在该通孔的下方部分中形成聚合物材料；以及在该通孔的上方部分中形成上电极材料层。