| 摘要 |
本发明揭示一有机记忆体单元(100，1300，1500)，该记忆体单元由两个电极(104，110，1304，1306，1502，1504)及位于该两个电极之间的选择性导电媒介(106／108，1308)组成。该选择性导电媒介(106／108，1308)包括一有机层(108，300，400，500)及被动层(106，200)。通过施加偏置电压，该选择性导电媒介被程式化至一记忆体单元之理想的阻抗状态(1301，1302，1303)。该理想的阻抗状态(1301，1302，1303)代表一位元或多位元信息以及该记忆体单元(100，1300，1500)不需要持续的能量及刷新周期以维持该理想的阻抗状态。而且为了决定该记忆体单元(100，1300，1500)的阻抗状态(1301，1302，1303)，可藉由施加一电流及读取该媒介(106／108，1308)的阻抗来读取该选择性导电媒介。本发明还揭示制造、使用该有机记忆体装置／单元(100，1300，1500)之方法，以及例如像包括该有机记忆体装置/单元(100，1300，1500)之电脑的装置。 |
