发明名称 浅沟渠隔离结构的制造方法与图案化的方法
摘要 一种浅沟渠隔离结构的制造方法,此方法系先在基底上系序形成垫氧化层与罩幕层,然后在罩幕层上形成图案化光阻层。接着,进行第一蚀刻制程以在垫氧化层与罩幕层中形成开口,且此开口裸露出基底之部分表面,之后剥除图案化光阻层。继之,利用含臭氧(ozone)之清洗液进行清洗步骤,接着,进行第二蚀刻制程以在基底中形成沟渠,之后,在沟渠内填入绝缘层,然后移除垫氧化层与罩幕层。由于利用含臭氧之清洗液来洁净基底(或晶圆)表面,所以可以解决知光阻残留物残存于基底(或晶圆)表面的问题。
申请公布号 TW200503152 申请公布日期 2005.01.16
申请号 TW092118824 申请日期 2003.07.10
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 黄致远
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号