发明名称 | 浅沟渠隔离结构的制造方法与图案化的方法 | ||
摘要 | 一种浅沟渠隔离结构的制造方法,此方法系先在基底上系序形成垫氧化层与罩幕层,然后在罩幕层上形成图案化光阻层。接着,进行第一蚀刻制程以在垫氧化层与罩幕层中形成开口,且此开口裸露出基底之部分表面,之后剥除图案化光阻层。继之,利用含臭氧(ozone)之清洗液进行清洗步骤,接着,进行第二蚀刻制程以在基底中形成沟渠,之后,在沟渠内填入绝缘层,然后移除垫氧化层与罩幕层。由于利用含臭氧之清洗液来洁净基底(或晶圆)表面,所以可以解决知光阻残留物残存于基底(或晶圆)表面的问题。 | ||
申请公布号 | TW200503152 | 申请公布日期 | 2005.01.16 |
申请号 | TW092118824 | 申请日期 | 2003.07.10 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄致远 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |