半导体装置及其制造方法

摘要

本发明藉由提高互相连接之氢障壁膜彼此之密接性，以便防止氢进入电容绝缘膜。本发明之半导体装置具备：第一氢障壁膜；电容元件，其系形成于第一氢障壁膜上者；及第二氢障壁膜，其系以覆盖电容元件之方式形成者。第一氢障壁膜及第二氢障壁膜至少包含1个使第一氢障壁膜及第二氢障壁膜密接之同一种原子。