于基板上形成多晶矽层之方法

摘要

一种于基板上形成多晶矽层之方法，主要包括下列步骤：最初，布植惰性气体进入基板，使基板中产生多个孔隙。接着，沉积缓冲层于基板上方。然后，沉积非晶矽层于缓冲层上方。最后，提供热量予非晶矽层，使非晶矽层成为多晶矽层。