| 摘要 |
本发明提供一种半导体记忆元件的制造方法，其步骤包括：提供一基底；依序形成一导线层、一具有第一型导电层、一第一介电层及一具有第二型导电层于该基底上；沿第一方向定义该具有第二型导电层、该第一介电层、该具有第一型导电层及该导线层，其中该导线层形成一第一导线；定义该第二型导电层、该第一介电层及该具有第一型导电层，以形成一记忆胞；沉积一第二介电层覆盖该基底，其中在沉积前包括以一氧化电浆预溅击该基底表面；平坦化该第二介电层直至露出该记忆胞；以及沿第二方向形成一第二导线，该第二导线与记忆胞电性连结且和第一导线方向垂直。 |
