具有垂直型电晶体与沟槽电容器之记忆体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有垂直型电晶体与沟槽电容器之记忆体装置及其制造方法，包括：一基底，其具有至少一沟槽；一沟槽电容器，设置于沟槽下部；一导线结构，设置于沟槽电容器上方；一沟槽顶端绝缘层，系一叠层结构，设置于导线结构上方，其结构包含一第一绝缘层及一第二绝缘层，且第一绝缘层系一间隙壁衬垫于沟槽侧壁上而第二绝缘层设置于第一绝缘层所包围之区域中；一控制闸极，设置于沟槽顶端绝缘层上方；一埋入带，形成于第二导电层周围之基底中；及一掺杂区，形成于控制闸极上方周围之基底中。