制造快闪记忆体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造一快闪记忆体装置之方法，其包含以下步骤：在一半导体基板上形成一未掺杂的第一多晶矽膜；在该第一多晶矽膜上形成具有一高浓度掺杂区域之一未掺杂的第二多晶矽膜；以及在该所得结构上形成一介电膜，以使得该第一多晶矽膜与该第二多晶矽膜之掺杂浓度成为类似。因此，组成该浮动闸电极的第一多晶矽膜与第二多晶矽膜具有相同的掺杂浓度，因此，可能藉由在形成该介电膜时将在该所得结构上之一原生氧化物膜之一生长最小化而形成具有一有效厚度之介电膜。