发明名称 湿润阻障层的制造方法
摘要 一种湿润阻障层的制造方法,适用于插塞制程之上,系在一介电层内的开口以离子金属电浆沉积钛金属层,以一原位电浆对湿润阻障层进行处理,接着,其以沉积一氮化钛层于钛金属层之上而形成一湿润阻障层。根据本发明所制造的湿润阻障层可降低插塞之阻抗。
申请公布号 TW200503150 申请公布日期 2005.01.16
申请号 TW092118526 申请日期 2003.07.07
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡建欣;周友华;骆则宏;曾吉祯;张伟;杨荣成
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹科学工业园区新竹县园区三路一二一号