| 摘要 |
一种制备半导体元件之电容器的方法，此方法包含了：在半导体基板上形成包含储存节接触洞的中介绝缘层之步骤；在中介绝缘层(包含储存节接触洞)之上形成多晶矽层的步骤；以及，在多晶矽层之上形成一暂时性的阻抗层的步骤；在这些步骤中，利用暂时性的阻抗层填充储存节接触洞；本方法并包括选择性的移除该暂时性的阻抗层，使得暂时性的阻抗层只会在储存节接触洞中被保留下来的步骤；将离子植入于多晶矽层之无覆盖的上表面的步骤；在移除残余的暂时性阻抗层之后，氧化被植入了离子的多晶矽层的步骤；在移除多晶矽层的氧化部分之后，在该多晶矽层表面生长超多晶矽MPS层的步骤；以及，在多晶矽层(包含超多晶矽MPS层)之上形成一介电层和一上方电极的步骤；在超多晶矽MPS层的成长过程中，去除在对储存节多晶矽层的回蚀过程中所产生的碳成分干扰是可行的。此回蚀过程系使用储存节多晶矽来形成一个柱状电容。 |
