发明名称 |
半导体制造制程期间抑制镀铜或金属化表面及电路之腐蚀的方法 |
摘要 |
一种用于制造镀铜或金属化半导体元件之处理槽,及一种抑制浸入处理槽水溶液中之半导体元件的镀铜或金属化表面及电路之腐蚀的方法,该方法包括:将其用量能够有效抑制腐蚀的一种或多种芳香三唑腐蚀抑制剂加入水溶液中;萤光法监控水溶液中芳香三唑腐蚀抑制剂之浓度;以及额外添加芳香三唑腐蚀抑制剂至水溶液中,以维持水溶液中芳香三唑腐蚀抑制剂的有效抑制腐蚀之浓度。 |
申请公布号 |
TW200502438 |
申请公布日期 |
2005.01.16 |
申请号 |
TW093118344 |
申请日期 |
2004.06.24 |
申请人 |
纳可公司 |
发明人 |
珍琴斯布莱恩V JENKINS, BRIAN V.;胡特斯约翰E HOOTS, JOHN E. |
分类号 |
C23F11/10 |
主分类号 |
C23F11/10 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 |
主权项 |
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地址 |
美国 |