发明名称 双生位元线分闸快闪记忆体
摘要 一种两相邻分闸快闪记忆胞共用一控制闸极之分闸快闪记忆胞结构,其中两相邻分闸快闪记忆胞分别拥有独立之悬浮闸极、与源极区,但控制闸极系共用,此外该两相邻分闸快闪记忆胞的汲极区系利用两相邻快闪记忆胞之悬浮闸极之间的半导体基板做为闸极,并包含一延伸区域,该延伸区域系未被控制闸极所覆盖之半导体基板区域。虽然两记忆胞之控制闸极共用,但源极则不共用,因此可以很容易对这对记忆胞分别控制。
申请公布号 TW200503250 申请公布日期 2005.01.16
申请号 TW092117996 申请日期 2003.07.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林建炜;卓静玟;何大椿
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 李长铭
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路八号