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发明名称
使用量测之基础光谱及/或基于已获得之光谱之薄膜之非破坏性特性化
摘要
本发明系提供使用比较法(例如,代入法)比较元素及/或化学物种之量测峰形(例如,所欲监测之特定方法之先前量测之Si峰形)与己收集之光谱资料(例如,使用非线性最小平方代入运算法),而用于膜之特性化(例如,矽氧氮化物膜之厚度测定)。此外,本发明提供使用收集之光谱资料而用于膜之特性化(例如,矽氧氮化物膜之厚度测定)。例如,可将已获得之光谱累积地积分,而且可使用所积分光谱之几何性质测定成分浓度资讯。膜之厚度测量可基于此成分浓度资讯而提供。
申请公布号
TW200502528
申请公布日期
2005.01.16
申请号
TW092137133
申请日期
2003.12.26
申请人
物理电子有限公司
发明人
保罗E 赖森;大卫G 瓦特森;约翰F 默德
分类号
G01B15/02
主分类号
G01B15/02
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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