形成结晶化半导体层之方法及装置及制造半导体装置之方法

摘要

一种形成一结晶化半导体层(15)之方法，包括制备一非单晶半导体层(14)，至少一晶种(13)形成其中，及以一能量射线辐照具有晶种(13)形成其中之非单晶半导体层(14)，以使晶体自晶种(13)在非单晶半导体层(14)中横向生长，能量射线之辐照之实施系将晶种(13)至少一部分定位在能量射线最小强度值之区域上，该能量射线系证实，具有最大强度值之区域继续降低至在辐照表面上具有最小强度值之区域。