发明名称 铜电镀方法
摘要 一种用于铜制程之铜电镀方法,以去离子水稀释低浓度的H2O2所形成的清洗液,清洗形成有铜种子层的基底,以致于在该铜种子层的表面上形成铜氧化物,然后将该基底置于包含硫酸铜(CuSO4及硫酸(H2SO4#3的电解液中,以移除该铜种子层上的铜氧化物,最后执行铜电镀以在曝露的新铜种子层上无缝地生长铜,藉以取得实质上无缺陷之铜导线及/或铜栓塞。
申请公布号 TW200503086 申请公布日期 2005.01.16
申请号 TW092119065 申请日期 2003.07.11
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 SEMICONDUCTORMANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CORP. 中国 发明人 姜庆堂;吴廷斌
分类号 H01L21/283 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 中国